Cегнетоэлектрическая NAND флэш-память служит несколько сотен лет 17.07.2008 16:32 просмотров: сегодня 1, всего 311 автор новости: GreenZ
	связанные темы: NAND; концепт, прототип; накопители информации; технологии

Национальный институт по перспективным направлениям науки и промышленных технологий совместно с Университетом Токио разработали новый тип флэш-памяти, которая занимает меньше места и служит значительно дольше.

Физические размеры нынешних микросхем флэш-памяти составляют 20 нанометров, прототип разработанной учёными сегнетоэлектрической NAND флэш-памяти будет иметь размер 10 нанометров. Также в новом типе памяти напряжение при перезаписи составляет всего 6 вольт (вместо 20 вольт в старом типе).

Сроки службы нового типа флэш-памяти достигают пары сотен лет, количество записи — 100 миллионов раз.

Напомним, что у нынешнего типа флэш-памяти эти параметры равны десяти годам работы с возможностью перезаписи до десяти тысяч раз.

- «     оценка: 4.89 (9 чел.)     » + 1   2   3   4   5 «скучно интересно»

Оцените новость и оставьте свой комментарий ниже на странице, подпишитесь на рассылку новостей, файлов, книг. Поддержите Ладошки своей посещаемостью, изучением коммерческой информации (рекламы), ссылками.

Интересно, кто будет хранить на флешках информацию хотябы 10 лет?

Свежо предание, да вериться с трудом. Таких сообщений-воз! А на деле, даже хвалёная SSD оказалась обычной флэшкой с алгоритмом равномерной записи... Вот когда появиться что-то реальное, тогда и будем аплодировать.

Чтобы писать комментарии вам нужно
авторизоваться (войти) или зарегистрироваться