Компания Fujitsu сообщила о значительном прогрессе в разработке резистивной памяти Resistive RAM или ReRAM, способной в недалеком будущем заменить флеш-память. Оба типа памяти способны сохранять данные при отключении питания устройства, но надо отметить, что флеш-память уже вплотную приблизилась к своим пределам в миниатюризации. С другой стороны ReRAM не только дешевле в изготовлении, но и имеет более компактный форм-фактор.
Говорить об ReRAM как реальной альтернативе флеш-памяти позволили последние разработки Fujitsu Laboratories Ltd., обеспечившие памяти ReRAM необходимую стабильность и высокую скорость стирания данных (в 10 тыс. раз выше прежних версий). В частности, в сообщении компании сказано о конструктивных изменениях в прототипе модуля ReRAM: к оксиду никеля (NiO) добавлен титан (Ti), что и повлекло за собой значительное снижение энергопотребления.
Так же удалось уменьшить колебания сопротивления. Эти колебания могут возникать с течением времени в ходе эксплуатации модуля памяти, изменяя показатель сопротивляемости отдельных ячеек и негативно влияя на однородность модуля. Новый подход позволил уменьшить колебания сопротивления на 90 процентов по сравнению с предыдущими версиями.
Работы по усовершенствованию технологии ReRAM компания Fujitsu ведет уже несколько лет. И вот теперь усилия ученых получили воплощение в реальном прототипе, продемонстрированном в ходе декабрьской конференции IEDM (International Electron Devices Meeting), проходившей в Вашингтоне. Если говорить о массовом выпуске модулей памяти ReRAM, то, как утверждают специалисты, его придется ждать еще два-три года.
- « оценка: 4.48 (21 чел.) » +
 
|
