 |
Компания Samsung Electronics объявила о сборке первого в индустрии модуля памяти DDR емкостью 1 Гбит (128 МБ) для мобильных устройств, изготовленного с использованием 80 нм технологии. Сейчас сложно кого-либо удивить 1 Гбит памяти, но этот – цельный (монолитный), в отличие от традиционных, состоящих из двух 512 Мбит чипов на одной основе. Хотя и собран новый чип по старой технологии упаковки.
Ожидается, что новый DDR-чип получит широкое применение в различных «продвинутых» портативных устройствах — цифровых фотокамерах, плеерах, игровых консолях. Эти ожидания подкреплены прежде всего низким энергопотреблением — примерно на 30% ниже ближайших конкурентов. К тому же, модуль имеет выигрышный форм-фактор — его корпус примерно на 20% тоньше традиционного сдвоенного. Если верить предсказаниям аналитиков, в 2007 году на рынке будут востребованы модули 1,5-2 Гб, а у Samsung Electronics уже подготовлено пространство для наращивания объемов памяти. Также рассматривается вариант комбинированного мультичипа – 1 Гб модуль DRAM плюс флеш-память.
Начало массового производства модуля памяти 1 Гб намечено на второй квартал 2007 года. Именно тогда по прогнозам ожидается начало массового спроса на более емкую память.
- « оценка: 3.8 (5 чел.) » +
  
| Устанавливайте линк на Ладошки на своих сайтах, изучайте коммерческую информацию (рекламу),
посещайте разделы сайта (форум, чат, новости, файлы, прочие). Оцените эту новость и оставьте свой комментарий ниже на странице.
|
